Väitöskirjatutkija kehitti uusia atomikerroskasvatuksen prosesseja optiikkaan

Jaa
Atomikerroskasvatukseen (Atomic Layer Deposition, ALD) kohdistuu tällä hetkellä huomattava kansainvälinen mielenkiinto, koska sitä pidetään yhtenä lupaavimmista menetelmistä piipohjaisen mikroelektroniikan seuraavien sukupolvien materiaalien valmistamiseksi. Menetelmällä kasvatetaan ohuita kalvoja eri käyttöön, jopa atomikerrosten tarkkuudella. Helsingin yliopistossa kemian alalta 5.12. väittelevän Tero Pilven väitöskirjatyö käsittelee tämän Suomessa kehitetyn atomikerroskasvatusmenetelmän hyödyntämistä optiikan sovelluksiin. Sovellusten on tarkoitus myöhemmin matkata mm. Merkuriusta tutkimaan.

Johtavat mikroelektroniikan yritykset tutkivat aktiivisesti ALD-menetelmän sopivuutta tarpeisiinsa, ja Intel, yksi alan suurimmista valmistajista, julkistikin hiljattain käyttävänsä valmistusprosesseissaan ALD:tä uusimpien mikroprosessoriensa valmistuksessa. Tyypillisesti ALD-kalvot ovat tiiviitä ja tasaisia, mikä johtuu pintareaktioiden hyvästä hallinnasta. Koska ALD-menetelmällä on pitkät perinteet Suomessa, pidetään maatamme yhtenä alan edelläkävijöistä, Tero Pilvi sanoo.

Hänen väitöskirjansa jakautuu kahteen osaan. Ensimmäisessä osassa kehitetään uusia ALD-prosesseja, ja toisessa osassa hyödynnetään ALD-tekniikkaa optiikan uudenlaisiin sovelluksiin. Yksi kirjassa käsiteltävistä sovelluksista on Fresnelin vyöhykelevyyn perustuva linssi röntgensäteiden kohdentamiseksi röntgenmikroskopiassa. Uudenlaisen valmistustekniikan ja ALD:lla tehdyn jalometallikalvon ansiosta tällä linssillä saavutettiin 12 nm:n resoluutio synkrotronilla tehdyissä kokeissa. Tämä on maailmanennätys.

Väitöstyössä onnistuttiin myös päällystämään ALD-jalometalilla mikrokanavalevyjä, joita käytetään kohdentamaan röntgensäteitä, ja jotka olisi tarkoitus lähettää BepiColombo satelliitin matkaan Merkuriusta tutkimaan. Mikrokanavalevyjen kapeiden kanavien pinnoittaminen metallilla on todella haastava tehtävä, ja voi olla, että ALD-tekniikka on ainoa, jolla tämä pystytään tekemään. Lisäksi työssä todistettiin todella ohuen ALD-kalvon estävän hopeapeilin tummuminen, ja ALD-jalometallikalvosta valmistettiin myös infrapunavaloa suodattava optinen filtteri. Väittelijän mukaan on siis hyvin todennäköistä, että ALD:n käyttö tulee lisääntymään myös optiikan sovelluksissa.

Optiikan näkökulmasta kiinnostavia materiaaleja ovat suurella aallonpituusalueella valoa läpäisevät kalvomateriaalit, kuten esimerkiksi metallifluoridit, joita käytetään laserien yhteydessä puolijohdeteollisuudessa mikropiirien kuviointiin. Aikaisemmin ei ole pystytty kehittämään hyviä ALD-prosesseja fluoridikalvojen tekoon, koska ongelmana on ollut hyvän fluorilähtöaineen puute. Se, että Pilvi löysi kaksi uutta turvallisempaa fluorilähtöainetta väitöskirjatutkimuksessaan oli merkityksellistä. Näiden lähtöaineiden ympärille väittelijä kehitti viisi uutta ALD-prosessia ja kolme täysin uutta ALD-materiaalia. Uusien fluoridiprosessien kehittämisen ja kalvojen ominaisuuksien tutkimisen ohella tutkija todisti fluorilähtöaineen toimivuuden tekemällä kaksi valoa hyvin heijastavaa peiliä, jotka koostuivat monikerrosrakenteesta.

FM Tero Pilvi väittelee 5.12.2008 kello 12 Helsingin yliopiston matemaattis-luonnontieteellisessä tiedekunnassa aiheesta Atomic Layer Deposition for optical applications: metal fluoride thin films and novel devices (Atomikerroskasvatus optiikan sovelluksiin: metallifluoridiohutkalvot ja uudet komponentit ). Väitöstilaisuus järjestetään osoitteessa kemian laitos, auditorio A110, A. I. Virtasen aukio 1.

Vastaväittäjänä on Dr Jeffrey Elam, Argonne National laboratory, Illinois, USA, ja kustoksena on professori Mikko Ritala.

Väitöskirja on myös elektroninen julkaisu ja luettavissa E-thesis-palvelussa (http://ethesis.helsinki.fi/ )

Väittelijän yhteystiedot: Tero Pilvi, puhelin 040 533 9786, sähköposti tero.pilvi@helsinki.fi .

Väittelijän valokuvan saa osoitteesta http://kuvatus.helsinki.fi , käyttäjätunnus on väitöskuvat, salasanaa ei tarvita.

Ystävällisin terveisin

Minna Meriläinen, tiedottaja, 191 51042

Tietoja julkaisijasta

Helsingin yliopisto on yli 40 000 opiskelijan ja työntekijän kansainvälinen yhteisö, joka tuottaa tieteen voimalla kestävää tulevaisuutta koko maailman parhaaksi. Kansainvälisissä yliopistovertailuissa Helsingin yliopisto sijoittuu maailman parhaan yhden prosentin joukkoon. Monitieteinen yliopisto toimii neljällä kampuksella Helsingissä sekä Lahden, Mikkelin ja Seinäjoen yliopistokeskuksissa. Lisäksi sillä on kuusi tutkimusasemaa eri puolilla Suomea ja yksi Keniassa. Yliopisto on perustettu vuonna 1640.

Tilaa tiedotteet sähköpostiisi

Haluatko tietää asioista ensimmäisten joukossa? Kun tilaat tiedotteemme, saat ne sähköpostiisi välittömästi julkaisuhetkellä. Tilauksen voit halutessasi perua milloin tahansa.

Lue lisää julkaisijalta Helsingin yliopisto

Uutishuoneessa voit lukea tiedotteitamme ja muuta julkaisemaamme materiaalia. Löydät sieltä niin yhteyshenkilöidemme tiedot kuin vapaasti julkaistavissa olevia kuvia ja videoita. Uutishuoneessa voit nähdä myös sosiaalisen median sisältöjä. Kaikki tiedotepalvelussa julkaistu materiaali on vapaasti median käytettävissä.

Tutustu uutishuoneeseemme
World GlobeA line styled icon from Orion Icon Library.HiddenA line styled icon from Orion Icon Library.Eye