IBM ja Samsung ovat tehneet läpimurron transistorirakenteen suunnittelussa

ALBANY, N.Y., – 14.12.2021: San Franciscon IEDM-konferenssissa IBM ja Samsung esittelivät uuden transistorirakenteen. VTFET-rakenteessa (Vertical Transport Field Effect Transistors) transistorit pinotaan päällekkäin sirun pinnalle ja virta niiden välillä liikkuu pystysuorasti. Perinteisesti transistorit ovat aseteltu tasaisesti rinnakkain samaan tasoon.

Uutta rakennetta hyödyntävissä transistoreissa on useita etuja. VTFET-rakenne antaa mahdollisuuden lisätä eksponentiaalisen määrän transistoreita sirun pinnalle sekä aiemmat tiheys- ja energiatehokkuusrajoitukset voidaan unohtaa. VTFET-rakenne mahdollistaasellaisten sirujen rakentamisen, joiden energian kulutus on jopa 85 prosenttia vähemmän kuin nykyisten FinFET-rakenteeseenperustuvien sirujen.

Energian kulutuksen huomattava väheneminen voisi tarkoittaa merkittäviä parannuksia suorituskykyyn useilla eri teknologian aloilla, kuten esimerkiksi:

• matkapuhelinten akut voisivat kestää jopa yli viikon yhdellä latauksella,
• energiarohmut prosessit, kuten louhinta ja tietojen salaus, kuluttaisivat huomattavasti vähemmän energiaa ja tuottaisivat näin pienemmän hiilijalanjäljen,
• uudet sirut voisivat myös vauhdittaa erilaisten IoT- ja reunalaskentaa hyödyntävien laitteiden yleistymistä,
• esimerkiksi valtameripoijut, autonomiset ajoneuvot ja avaruusalukset, jotka voivat joutua toimimaan hyvinkin itsenäisesti tai karuissa olosuhteissa hyötyisivät pienestä energian kulutuksesta.
  

Laajempi englanninkielinen tiedote osoitteessa:
https://newsroom.ibm.com/2021-12-14-IBM-and-Samsung-Unveil-Semiconductor-Breakthrough-That-Defies-Conventional-Design

Aiheesta enemmän blogissa osoitteessa:
https://research.ibm.com/blog/vtfet-semiconductor-architecture